Qualcomm Snapdragon 835発表。サムスン10nmFETプロセス採用

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クアルコムは、モバイル向けの新SoC「Snapdragon 835」を発表。サムスンの10nm FinFETプロセスを採用しており、省スペース化に加えて性能の向上と省電力化されているようです。モデルナンバーからも、スマートフォンのよりハイスペックなフラグシップ・モデルなどに搭載される可能性があります。

同時に急速充電のQuick Charge 4も発表。詳細を確認しておきましょう。

Qualcomm Snapdragon 835発表

クアルコムは、モバイル端末向けの新プロセッサー「Snapdragon 835」を発表しました。まだスペック詳細は語られていないものの、サムスンの10nm FinFETプロセスを採用しています。

10nm FinFETプロセス採用

現在の14nm FinFETと比較して最大30%の省スペース化、27%の性能アップ、40%の省電力化をアピールしています(サムスン)。Spapdragon 835は2017年前半に登場する端末に搭載されるとしており、近い将来搭載スマホが見れる可能性が高いようです。

Quick Charge 4も発表

新世代の急速充電「Quick Charge 4」も発表。クアルコムの急速充電といえばQuick Charge 3.0が最新でしたが、これと比較して最大20%高速、また最大30%も効率的に充電ができるようになるとか。

USB-C/USB-PDサポート、3rd GenのINOVも採用。2017年に登場する端末は、より電池持ちやバッテリー面でも向上しそうな予感ですね。

Source: Qualcomm / SAMSUNG

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